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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.91 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | ANALOG CIRCUIT | JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 18 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Analog ICs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXDP630PI | IXYS |
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Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls |
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| IXDP631 | IXYS |
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Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls |
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| IXDP631PC | ETC |
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Analog Delay Circuit |
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| IXDP631PI | IXYS |
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Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls |
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| IXDR30N120 | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package |
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| IXDR30N120 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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| IXDR30N120D1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package |
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| IXDR30N120D1 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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| IXDR35N60BD1 | IXYS |
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IGBT with optional Diode |
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| IXDR35N60BD1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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