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IS62WV20488BLL-25TLI

更新时间： 2024-11-24 03:15:55

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV20488BLL-25TLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	18.415 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0015 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS62WV20488ALL

IS62WV20488BLL

2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER

CMOS STATIC RAM

ISSI

PRELIMINARYINFORMATION

JULY2006

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access times:

25, 35 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

• Fully static operation: no clock or refresh

required

The ISSI IS62WV20488ALL/BLL is a high-speed, low

power, 2M-word by 8-bit CMOS static RAM. The

IS62WV20488ALL/BLL is fabricated using ISSI's high-

performance CMOS technology. This highly reliable

process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields higher performance and low power con-

sumption devices.

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected)orwhenCS1isLOW,CS2isHIGH,thedevice

assumes a standby mode at which the power dissipation

can be reduced down with CMOS input levels.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single power supply

– VDD 1.65V to 2.2V (IS62WV20488ALL)

speed = 35ns for Vcc = 1.65V to 2.2V

– VDD 2.4V to 3.6V (IS62WV20488BLL)

speed = 25ns for Vcc = 2.4V to 3.6V

• Packages available:

The IS62WV20488ALL/BLL operates from a single

power supply and all inputs are TTL-compatible.

The IS62WV20488ALL/BLL is available in 48 ball mini

BGA and 44-pin TSOP (Type II) packages.

–

48-ball miniBGA (9mm x 11mm)

– 44-pin TSOP (Type II)

• Industrial Temperature Support

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

2M X 8

MEMORY ARRAY

A0-A20

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. 00B

06/21/06

12 3 4 5 6 7...16

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IS62WV20488BLL-25TLI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS61WV20488BLL-10TLI	ISSI	类似代替	2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61WV20488BLL-10TI	ISSI	功能相似	2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

与IS62WV20488BLL-25TLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62WV20488EALL	ISSI	获取价格	TTL compatible interface levels
IS62WV20488EBLL	ISSI	获取价格	TTL compatible interface levels
IS62WV25616ALL	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616ALL-70BI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616ALL-70T	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616ALL-70TI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616BLL	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616BLL-55B	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
IS62WV25616BLL-55B2	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
IS62WV25616BLL-55B2I	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48

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