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IS62WV25616BLL-70TI

更新时间： 2024-09-29 15:35:35

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	69K
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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IS62WV25616BLL-70TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.74
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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IS62WV25616ALL

IS62WV25616BLL

256K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

ISSI

PRELIMINARYINFORMATION

MARCH2002

DESCRIPTION

FEATURES

TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLare high-

speed, 4M bit static RAMs organized as 128K words by 16

bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 55ns, 70ns

• CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

– 9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both

LBandUBareHIGH, thedeviceassumesastandbymode

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

– 1.65V--2.2V V^CC(62WV25616ALL)

– 2.5V--3.6V V^CC(62WV25616BLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

TheIS62WV25616ALLandIS62WV25616BLLarepackged

intheJEDECstandard48-pinminiBGA(6mmx8mm)and

44-Pin TSOP (TYPE II). 48-pin mini BGA is available both

in 1CS and 2CS options.

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• 2CS Option Available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

PRELIMINARYINFORMATION Rev. 00A

03/11/02

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62WV25616CLL-70B2I	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
IS62WV25616DALL/DBLL	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DALL-55BI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DALL-55BLI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
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