Datasheet > 暂无类别数据> IS62WV25616DBLL-45TLI

IS62WV25616DBLL-45TLI

更新时间： 2024-09-29 12:08:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
17页	414K
描述
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM

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IS62WV25616DBLL-45TLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	7.83	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000007 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.018 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS62WV25616DBLL-45TLI 数据手册

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andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.

TheꢀactiveꢀLOWWriteꢀEnableꢀ(WE)

performanceꢀCMOSꢀtechnology.Thisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀ

IS62WV25616DALL/DBLL, IS65WV25616DBLL

256K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM

JUNE 2013

FEATURES

DESCRIPTION

TheꢀISSIꢀIS62WV25616DALLꢀandꢀIS62/65WV25616DBLLꢀ

areꢀꢀhigh-speed,ꢀlowꢀpower,ꢀ4MꢀbitꢀSRAMsꢀorganizedꢀasꢀ

256K words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-

•ꢀ High-speed access time: 35, 45, 55 ns

•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation

30 mW (typical) operating

coupled with innovative circuit design techniques, yields

high-performance and low power consumption devices.

ꢀ 6ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby

•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselcted) or when CS1ꢀisꢀLOW,ꢀCS2ꢀisꢀHIGHꢀandꢀbothꢀ

LB and UB are HIGH, the device assumes a standby mode

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOSꢀinputꢀlevels.

1.65V--2.2V V^dd(IS62WV25616DALL)

2.5V--3.6V V^ddꢀ(IS62/65WV25616DBLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefresh

required

controls both writing and reading of the memory.A data byte

allows Upper Byte (UB)ꢀandꢀLowerꢀByteꢀ(LB) access.

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes

•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

TheꢀIS62WV25616DALLꢀandꢀIS62/65WV25616DBLLꢀareꢀ

packaged in the JEDEC standard 44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII)

and 48-pin mini BGA (6mmx8mm).

•ꢀ 2ꢀCSꢀoptionꢀavailable

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be ex-

pected to cause failure of the life support system or to signiﬁcantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon

Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. D

06/19/2013

12 3 4 5 6 7...17

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IS62WV25616DBLL-45TLI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS62WV25616DBLL-45BLI	ISSI	类似代替	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
CY62146EV30LL-45ZSXI	CYPRESS	功能相似	4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV30LL-45ZSXI	CYPRESS	功能相似	4-Mbit (256K x 16) Static RAM

与IS62WV25616DBLL-45TLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62WV25616DBLL-55TLI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616EBLL-45BLI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, TFBGA-48
IS62WV2568ALL	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV2568ALL-70BI	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV2568ALL-70BI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36
IS62WV2568ALL-70BLI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PBGA36
IS62WV2568ALL-70HI	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV2568ALL-70HI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
IS62WV2568ALL-70HLI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
IS62WV2568ALL-70T	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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