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IS62WV25616DALL/DBLL

更新时间： 2024-11-27 12:23:07

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
17页	373K
描述
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM

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andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.

TheꢀactiveꢀLOWWriteꢀEnableꢀ(WE)ꢀ

performanceꢀCMOSꢀtechnology.Thisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀ

IS62WV25616DALL/DBLL, IS65WV25616DBLL

256Kꢀxꢀ16ꢀLOWꢀVOLTAGE,ꢀ

ULTRAꢀLOWꢀPOWERꢀCMOSꢀSTATICꢀSRAMꢀ

ꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ^ꢀ

FEBRUARYꢀ2012

FEATURES

DESCRIPTION

TheꢀISSIꢀIS62WV25616DALLꢀandꢀIS62/65WV25616DBLLꢀ

areꢀꢀhigh-speed,ꢀlowꢀpower,ꢀ4MꢀbitꢀSRAMsꢀorganizedꢀasꢀ

256Kꢀwordsꢀbyꢀ16ꢀbits.ꢀItꢀisꢀfabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀhigh-

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ35,ꢀ45,ꢀ55ꢀnsꢀ

•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation

ꢀ 30ꢀmWꢀ(typical)ꢀoperating

coupledꢀ withꢀ innovativeꢀ circuitꢀdesignꢀ techniques,ꢀ yieldsꢀ

high-performanceꢀandꢀlowꢀpowerꢀconsumptionꢀdevices.

ꢀ 6ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby

•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ

WhenꢀCS1ꢀisꢀHIGHꢀ(deselected)ꢀꢀorꢀwhenꢀCS2ꢀisꢀLOWꢀ

(deselcted)ꢀorꢀwhenꢀCS1ꢀisꢀLOW,ꢀCS2ꢀisꢀHIGHꢀandꢀbothꢀ

LBꢀandꢀUBꢀareꢀHIGH,ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀstandbyꢀmodeꢀ

atꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀreducedꢀdownꢀwithꢀ

CMOSꢀinputꢀlevels.

ꢀ 1.65V--2.2VꢀV^dd(IS62WV25616DALL)

ꢀ 2.5V--3.6VꢀV^ddꢀ(IS62/65WV25616DBLL)

EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀ

required

controlsꢀbothꢀwritingꢀandꢀreadingꢀofꢀtheꢀmemory.ꢀAꢀdataꢀbyteꢀ

allowsꢀUpperꢀByteꢀ(UB)ꢀandꢀLowerꢀByteꢀ(LB)ꢀaccess.

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes

•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

TheꢀIS62WV25616DALLꢀandꢀIS62/65WV25616DBLLꢀareꢀ

packagedꢀinꢀtheꢀJEDECꢀstandardꢀ44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII)ꢀ

andꢀ48-pinꢀminiꢀBGAꢀ(6mmx8mm).

•ꢀ 2ꢀCSꢀoptionꢀavailable

FUNCTIONALꢀBLOCKꢀDIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-

estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀex-

pectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀ

Solution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com ꢀ

Rev.ꢀ B

02/07/2012

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62WV25616DALL-55BI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DALL-55BLI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DALL-55TI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DALL-55TL	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DALL-55TLI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DBLL-45BI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DBLL-45BLI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DBLL-45TI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
IS62WV25616DBLL-45TLI	ISSI	获取价格	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
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