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IS62WV25616BLL-70BI

更新时间： 2024-11-24 12:59:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	112K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48

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IS62WV25616BLL-70BI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	6 X 8 MM, MINI, BGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.74
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.35 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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IS62WV25616ALL

IS62WV25616BLL

ISSI

256K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM

MAY2005

FEATURES

DESCRIPTION

TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL are high-

speed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwords

by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance

CMOS technology. This highly reliable process coupled

with innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 55ns, 70ns

• CMOS low power operation

36 mW (typical) operating

9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

WhenCS1isHIGH(deselected) orwhen CS1isLOWand

both LB and UB are HIGH, the device assumes a standby

modeatwhichthepowerdissipationcanbereduceddown

with CMOS input levels.

1.65V--2.2V V^DD(IS62WV25616ALL)

2.5V--3.6V V^DD(IS62WV25616BLL)

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

TheIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL arepackagedin

the JEDEC standard 44-Pin TSOP (TYPE II) and 48-pin

mini BGA (6mmx8mm).

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. C

05/02/05

12 3 4 5 6 7...14

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