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IS61WV2568EDBLL-10BI

更新时间： 2024-11-13 00:56:23
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 657K
描述
256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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IS61WV2568EDBLL-10BI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：DSBGA包装说明：TFBGA, BGA36,6X8,30
针数：36Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.5最长访问时间：10 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B36JESD-609代码：e0
长度：8 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA36,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.006 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.4 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：6 mm

IS61WV2568EDBLL-10BI 数据手册

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IS61WV2568EDBLL  
IS64WV2568EDBLL  
256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS  
CMOS STATIC RAM WITH ECC  
DECEMBER 2011  
DESCRIPTION  
FEATURES  
Theꢀ ISSIꢀ IS61/64WV2568EDBLLꢀ isꢀ aꢀ ꢀ high-speed,ꢀ  
2,097,152-bitꢀstaticꢀRAMsꢀorganizedꢀasꢀ262,144ꢀwordsꢀbyꢀ  
8ꢀbits.ꢀItꢀisꢀfabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀhigh-performanceꢀCMOSꢀ  
technology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀwithꢀinno-  
vativeꢀcircuitꢀdesignꢀtechniques,ꢀyieldsꢀhigh-performanceꢀ  
andꢀlowꢀpowerꢀconsumptionꢀdevices.  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ8,ꢀ10ꢀns  
•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ85ꢀmWꢀ(typical)  
•ꢀ LowꢀStandbyꢀPower:ꢀ7ꢀmWꢀ(typical)ꢀ  
CMOSꢀstandby  
•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply  
ꢀ —ꢀꢀVddꢀ2.4Vꢀtoꢀ3.6Vꢀ(10ꢀns)  
—ꢀꢀVddꢀ3.3Vꢀ ꢀ10%ꢀ(8ꢀns)  
WhenꢀCEꢀisꢀHIGHꢀ(deselected),ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀ  
standbyꢀmodeꢀatꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀre-  
ducedꢀdownꢀwithꢀCMOSꢀinputꢀlevels.  
•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀꢀ  
required  
EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ  
andꢀOutputꢀEnableꢀinputs,ꢀCEꢀandꢀOE.ꢀTheꢀactiveꢀLOWꢀ  
WriteꢀEnableꢀ(WE)ꢀcontrolsꢀbothꢀwritingꢀandꢀreadingꢀofꢀ  
theꢀmemory.ꢀꢀ  
•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs  
•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport  
•ꢀ Lead-freeꢀavailable  
•ꢀ ErrorꢀDetectionꢀandꢀErrorꢀCorrection  
TheꢀIS61/64WV2568EDBLLꢀisꢀꢀpackagedꢀinꢀtheꢀJEDECꢀ  
standardꢀ44-pinꢀTSOP-II,ꢀ36-pinꢀSOJꢀandꢀ36-pinꢀMiniꢀBGAꢀ  
(6mmꢀxꢀ8mm).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
ECC Array  
(256Kx4)  
Memory Array  
(256Kx8)  
A0-A17  
Decoder  
8
4
8
8
12  
I/O Data  
Circuit  
ECC  
IO0-7  
Column I/O  
/CE  
/OE  
/WE  
Control  
Circuit  
Copyrightꢀ©ꢀ2011ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwithoutꢀ  
notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-  
estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-  
ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ  
unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstancesꢀꢀ  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ  
1
Rev. A  
11/08/2011  
1234567...14

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