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IS61WV3216BLL-12BI

更新时间： 2024-11-12 04:44:47

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美国芯成 - ISSI		/
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16页	101K
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32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61WV3216BLL-12BI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.52
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00005 A	最小待机电流：	1.8 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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IS64WV3216BLL

IS61WV3216BLL

ISSI

32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

NOVEMBER 2005

FEATURES

DESCRIPTION

TheISSIIS61/64WV3216BLLisahigh-speed,524,288-bit

static RAM organized as 32,768 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinno-

vative circuit design techniques, yields access times as

fast as 12ns (3.3V + 10%) and 15ns (2.5V-3.6V) with low

powerconsumption.

• High-speed access time:

12 ns: 3.3V + 10%

15 ns: 2.5V-3.6V

• CMOS low power operation:

50 mW (typical) operating

25 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingChipEnable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Data control for upper and lower bytes

• Automotive Temperature Available

• Lead-free available

The IS61/64WV3216BLL is packaged in the JEDEC stan-

dard 44-pin TSOP-II, and 48-pin mini BGA (6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

09/26/05

12 3 4 5 6 7...16

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IS61WV3216BLL-12TLI	ISSI	获取价格	32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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