Datasheet > IS61SF6436-8.5TQ

IS61SF6436-8.5TQ

更新时间： 2024-11-05 20:31:03

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	100K
描述
Cache SRAM, 64KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS61SF6436-8.5TQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	8.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	83 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	2359296 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX36
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IS61SF6436-8.5TQ 数据手册

IS61SF6436

ISSI

APRIL 2001

64K x 36 SYNCHRONOUS

FLOW-THROUGH STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61SF6436 is a high-speed, low-power synchro-

nous static RAM designed to provide a burstable, high-

performance, secondary cache for the i486™, Pentium™,

680X0™, and PowerPC™ microprocessors. It is organized

as 65,536 words by 36 bits, fabricated with ISSI's advanced

CMOStechnology.Thedeviceintegratesa2-bitburstcounter,

high-speed SRAM core, and high-drive capability outputs into

asinglemonolithiccircuit.Allsynchronousinputspassthrough

registers controlled by a positive-edge-triggered single clock

input.

• Fast access times: 8.5 ns, 9 ns, 10 ns

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Pentium™ or linear burst sequence control

using MODE input

• Three chip enables for simple depth expansion

and address pipelining

Write cycles are internally self-timed and are initiated by the

rising edge of the clock input. Write cycles can be from one to

four bytes wide as controlled by the write control inputs.

• Common data inputs and data outputs

• Power-down control by ZZ input

• JEDEC 100-Pin TQFP and PQFP package

• Single +3.3V power supply

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

BW1 controls DQP1 and DQ1-DQ8, BW2 controls DQP2 and

DQ9-DQ16, BW3 controls DQP3 and DQ17-DQ24, BW4

controls DQP4 and DQ25-DQ32, conditioned by BWE being

LOW. A LOW on GW input would cause all bytes to be written.

• Two Clock enables and one Clock disable to

eliminate multiple bank bus contention.

• Control pins mode upon power-up:

– MODE in interleave burst mode

– ZZ in normal operation mode

Bursts can be initiated with either ADSP (Address Status

Processor) or ADSC (Address Status Cache Controller) input

pins. Subsequent burst addresses can be generated inter-

nally by the IS61SF6436 and controlled by the ADV (burst

address advance) input pin.

These control pins can be connected to GNDQ

or VCCQ to alter their power-up state

Asynchronoussignalsincludeoutputenable(OE),sleepmode

input(ZZ), clock(CLK)andburstmodeinput(MODE). AHIGH

input on the ZZ pin puts the SRAM in the power-down state.

When ZZ is pulled LOW (or no connect), the SRAM normally

operates after three cycles of the wake-up period. A LOW

input, i.e., GND^Q, on MODE pin selects LINEAR Burst. A VCCQ

(or no connect) on MODE pin selects INTERLEAVED Burst.

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

04/17/01

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与IS61SF6436-8.5TQ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61SF6436-9PQ	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61SF6436-9TQ	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61SP12832	ETC	获取价格	128K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINED STATIC RAM
IS61SP12832-117B	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX32, 4ns, CMOS, PQFP100,
IS61SP12832-117TQ	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX32, 4ns, CMOS, PBGA119,
IS61SP12832-133B	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX32, 4ns, CMOS, PQFP100,
IS61SP12832-133TQ	ETC	获取价格	128K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINED STATIC RAM
IS61SP12832-133TQI	ETC	获取价格	x32 Fast Synchronous SRAM
IS61SP12832-150B	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX32, 3.8ns, CMOS, PQFP100,
IS61SP12832-150TQ	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX32, 3.8ns, CMOS, PBGA119,

与IS61SF6436-8.5TQ相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS61SF6436-8.5TQ

IS61SF6436-8.5TQ 技术参数

IS61SF6436-8.5TQ 数据手册

与IS61SF6436-8.5TQ相关器件

与IS61SF6436-8.5TQ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS61SF6436-8.5TQ

IS61SF6436-8.5TQ 技术参数

IS61SF6436-8.5TQ 数据手册

与IS61SF6436-8.5TQ相关器件

与IS61SF6436-8.5TQ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？