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IS61SF12836-11TQ

更新时间： 2024-09-12 14:51:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	761K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 11ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

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IS61SF12836-11TQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	TQFP-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	11 ns
其他特性：	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCE	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61SF12836-11TQI	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 11ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61SF12836-12B	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IS61SF12836-12TQ	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IS61SF12836-12TQI	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IS61SF12836-7.5B	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IS61SF12836-7.5TQ	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IS61SF12836-8.5B	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IS61SF12836-8.5TQ	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IS61SF12836-8.5TQI	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IS61SF12836-8B	ISSI	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM