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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | PLASTIC, TSOP2-44 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.22 | 最长访问时间： | 15 ns |
| 其他特性： | TTL AND CMOS COMPATIBLE INTERFACE LEVELS | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.41 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.97 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61LV12816-8B | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-8B | ICSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV12816-8BI | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-8BI | ICSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV12816-8K | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-8K | ICSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV12816-8KI | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-8KI | ICSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV12816-8LQ | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-8LQI | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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