5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.24 |
| 最长访问时间： | 8 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.004 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| GS72116AU-8I | GSI |
功能相似  |
128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM |
|
| GS72116AU-8 | GSI |
功能相似 |
128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61LV12816L-8T | ISSI |
获取价格 |
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12816L-8TI | ISSI |
获取价格 |
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12816L-8TL | ISSI |
获取价格 |
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12816LL-12T | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| IS61LV12816LL-12TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| IS61LV12824 | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10B | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10BI | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10BL | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10TQ | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
