5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | PLASTIC, TSOP2-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.415 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.065 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IS61LV12816L-8TL | ISSI |
功能相似  |
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12816L-8TI | ISSI |
功能相似 |
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61LV12816L-8TI | ISSI |
获取价格 |
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12816L-8TL | ISSI |
获取价格 |
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12816LL-12T | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| IS61LV12816LL-12TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| IS61LV12824 | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10B | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10BI | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10BL | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10TQ | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
| IS61LV12824-10TQI | ISSI |
获取价格 |
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
