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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 18.415 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.065 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS61LV12816L-8TI | ISSI | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816L-8TL | ISSI | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816LL-12T | ISSI | Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| IS61LV12816LL-12TI | ISSI | Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| IS61LV12824 | ISSI | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12824-10B | ISSI | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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