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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.85 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 40.259 mm |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.165 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C512-20N | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C512-20NI | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C512-20T | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C512-20TI | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C512-25J | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C512-25JI | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C512-25K | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| IS61C512-25KI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| IS61C512-25M | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS61C512-25MI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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