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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 40.259 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C512-35MI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| IS61C512-35N | ICSI |
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64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C512-35NI | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C512-35T | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C512-35TI | ICSI |
获取价格 |
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C5128-10K | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
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| IS61C5128-12KI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
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| IS61C5128-12T | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| IS61C5128-12TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| IS61C5128-15K | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
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