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IS61C512-35N

更新时间： 2024-11-30 04:44:47

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矽成 - ICSI		内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	425K
描述
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61C512-35N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DIP, DIP32,.3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.87	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00075 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IS61C512-35N 数据手册

IS61C512

64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS61C512 is a very high-speed, low power, 65,536

word by 8-bit CMOS static RAMs. They are fabricated using

ICSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques, yields higher performance and low power con-

sumption devices.

• Pin compatible with 128K x 8 devices

• High-speed access time: 15, 20, 25, 35 ns

• Low active power: 500 mW (typical)

• Low standby power

— 250 µW (typical) CMOS standby

• Output Enable (OE) and two Chip Enable

(CE1 and CE2) inputs for ease in applications

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V (±10%) power supply

When CE1 is HIGH or CE2 is LOW (deselected), the device

assumes a standby mode at which the power dissipation can

be reduced down to 1 mW (typical) with CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using two Chip Enable

inputs, CE1 and CE2. The active LOW Write Enable (WE)

controls both writing and reading of the memory.

The IS61C512 is available in 32-pin 300mil DIP, SOJ and

8*20mm TSOP-1 packages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512 X 1024

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CE1

CE2

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

SR011-0B

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61C512-35NI	ICSI	获取价格	64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C512-35T	ICSI	获取价格	64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C512-35TI	ICSI	获取价格	64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C5128-10K	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-12KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-12T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128-12TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128-15K	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-15KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-15T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

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