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IS61C512-35MI

更新时间: 2024-11-30 14:42:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 177K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32

IS61C512-35MI 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T32长度:40.259 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

IS61C512-35MI 数据手册

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