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IS61C5128-12T

更新时间： 2024-11-30 19:36:39

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美国芯成 - ISSI		输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	207K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

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IS61C5128-12T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	12 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61C5128-12TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128-15K	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-15KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-15T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128-15TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128AL	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C5128AL-10KI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C5128AL-10KLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C5128AL-10TI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C5128AL-10TLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM