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IS61C5128-10K

更新时间： 2024-11-30 19:36:39

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美国芯成 - ISSI		输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	207K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

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IS61C5128-10K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36	针数：	36
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	10 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J36
JESD-609代码：	e0	长度：	23.5 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ36,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61C5128-12KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-12T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128-12TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128-15K	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-15KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
IS61C5128-15T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128-15TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61C5128AL	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C5128AL-10KI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C5128AL-10KLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM