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IS61C512-25TI

更新时间： 2024-11-30 04:44:47

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矽成 - ICSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	425K
描述
64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61C512-25TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.001 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.125 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS61C512-25TI 数据手册

IS61C512

64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS61C512 is a very high-speed, low power, 65,536

word by 8-bit CMOS static RAMs. They are fabricated using

ICSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques, yields higher performance and low power con-

sumption devices.

• Pin compatible with 128K x 8 devices

• High-speed access time: 15, 20, 25, 35 ns

• Low active power: 500 mW (typical)

• Low standby power

— 250 µW (typical) CMOS standby

• Output Enable (OE) and two Chip Enable

(CE1 and CE2) inputs for ease in applications

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V (±10%) power supply

When CE1 is HIGH or CE2 is LOW (deselected), the device

assumes a standby mode at which the power dissipation can

be reduced down to 1 mW (typical) with CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using two Chip Enable

inputs, CE1 and CE2. The active LOW Write Enable (WE)

controls both writing and reading of the memory.

The IS61C512 is available in 32-pin 300mil DIP, SOJ and

8*20mm TSOP-1 packages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512 X 1024

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CE1

CE2

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

SR011-0B

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61C512-35J	ICSI	获取价格	64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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IS61C512-35K	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C512-35KI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IS61C512-35M	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32
IS61C512-35MI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32
IS61C512-35N	ICSI	获取价格	64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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