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IS61C256AL-12JL

更新时间： 2024-11-28 04:44:47
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61C256AL-12JL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ, SOJ28,.34针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.23
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e3长度：18.415 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.56 mm最大待机电流：0.00009 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

IS61C256AL-12JL 数据手册

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®
IS61C256AL  
ISSI  
32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM  
OCTOBER2006  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The ISSI IS61C256AL is a very high-speed, low power,  
32,768 word by 8-bit static RAMs. It is fabricated using  
ISSI's high-performance CMOS technology. This highly  
reliable process coupled with innovative circuit design  
techniques,yieldsaccesstimesasfastas10nsmaximum.  
• High-speed access time: 10, 12 ns  
• CMOS Low Power Operation  
— 1 mW (typical) CMOS standby  
— 125 mW (typical) operating  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down to 150 µW (typical) with CMOS input levels.  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single 5V power supply  
• Lead-free available  
Easy memory expansion is provided by using an active  
LOW Chip Enable (CE) input and an active LOW Output  
Enable (OE) input. The active LOW Write Enable (WE)  
controls both writing and reading of the memory.  
TheIS61C256ALispincompatiblewithother32Kx8SRAMs  
and are available in 28-pin SOJ and TSOP (Type I)  
packages.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
32K X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A14  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
CIRCUIT  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CE  
CONTROL  
CIRCUIT  
OE  
WE  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
1
Rev. B  
10/23/06  
1234567...12

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IS61C256AL-12JL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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IS61C256AL-12JLI-TR ISSI

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 		暂无描述
IS61C256AL-12JL-TR ISSI

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 		Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28
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