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IS61C3216-12K

更新时间： 2024-11-28 22:09:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	53K
描述
32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61C3216-12K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
JESD-609代码：	e0	长度：	28.58 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX16	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ40,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.76 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	4.75 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.27 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS61C3216-12K 数据手册

OS-CON DATA SHEET

No.OS02N-DFSVP051

OS-CON 6SVP470M

Frequency (kHz)

Impedance (ohm)

ESR (ohm)

0.12

2.824

0.084

0.5

0.691

0.044

0.353

0.037

0.046

0.017

100

0.010

0.009

500

0.013

0.009

1000

0.024

0.009

5000

0.103

0.022

10000

0.230

0.024

Frequency characteristics

1000

100

Impedance (ohm)

ESR (ohm)

0.1

0.01

0.001

0.1

100

1000

10000

Frequency (kHz)

Measureing equipment: HP4194A

Test fixture: HP16047C

Measuring position: root of leads

OS Engineering Department, OS-CON Control Department

Saga SANYO Industries Co., Ltd.

n = 3p.(Ave.)

Room temperature

12 3

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