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IS61C3216-12KI

更新时间: 2024-11-28 22:09:31
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

IS61C3216-12KI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.8
最长访问时间:12 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
长度:28.58 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ40,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.76 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.75 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.29 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

IS61C3216-12KI 数据手册

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OS-CON DATA SHEET  
No.OS02N-DFSVP051  
OS-CON 6SVP470M  
Frequency (kHz)  
Impedance (ohm)  
ESR (ohm)  
0.12  
2.824  
0.084  
0.5  
0.691  
0.044  
1
0.353  
0.037  
10  
0.046  
0.017  
100  
0.010  
0.009  
500  
0.013  
0.009  
1000  
0.024  
0.009  
5000  
0.103  
0.022  
10000  
0.230  
0.024  
Frequency characteristics  
1000  
100  
10  
Impedance (ohm)  
ESR (ohm)  
1
0.1  
0.01  
0.001  
0.1  
1
10  
100  
1000  
10000  
Frequency (kHz)  
Measureing equipment: HP4194A  
Test fixture: HP16047C  
Measuring position: root of leads  
OS Engineering Department, OS-CON Control Department  
Saga SANYO Industries Co., Ltd.  
n = 3p.(Ave.)  
Room temperature  

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