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IS61C256AL-12JL-TR

更新时间： 2024-11-29 20:07:07

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	518K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28

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IS61C256AL-12JL-TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.23
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
JESD-609代码：	e3	长度：	18.415 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IS61C256AL-12JL-TR 数据手册

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IS61C256AL

32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

MAY 2012

DESCRIPTION

FEATURES

The ISSI IS61C256AL is a very high-speed, low power,

32,768 word by 8-bit static RAMs. It is fabricated using

ISSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques,yieldsaccesstimesasfastas10nsmaximum.

• High-speed access time: 10, 12 ns

• CMOS Low Power Operation

— 1 mW (typical) CMOS standby

— 125 mW (typical) operating

• Fully static operation: no clock or refresh

required

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down to 150 µW (typical) with CMOS input levels.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V power supply

• Lead-free available

Easy memory expansion is provided by using an active

LOW Chip Enable (CE) input and an active LOW Output

Enable (OE) input. The active LOW Write Enable (WE)

controls both writing and reading of the memory.

TheIS61C256ALispincompatiblewithother32Kx8SRAMs

and are available in 28-pin SOJ and TSOP (Type I)

packages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can

reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such

applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. C

05/09/12

12 3 4 5 6 7...11

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IS61C256AL-12TI-TR	ISSI	获取价格	SRAM,
IS61C256AL-12TL	ISSI	获取价格	32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C256AL-12TLI	ISSI	获取价格	32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C256AL-12TLI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-28
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