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IS61C308-45L

更新时间: 2024-11-29 20:50:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 600K
描述
Cache SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, PQCC44

IS61C308-45L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:45 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J44JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:16端子数量:44
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC44,.7SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.24 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

IS61C308-45L 数据手册

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