Datasheet > 存储 > SRAM> IS61C256AL-12TI

IS61C256AL-12TI

更新时间： 2024-11-29 04:44:47

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		/
页数	文件大小	规格书
12页	98K
描述
32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS61C256AL-12TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	PLASTIC, TSOP1-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.38
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0001 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IS61C256AL-12TI 数据手册

IS61C256AL

ISSI

32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

OCTOBER2006

DESCRIPTION

FEATURES

The ISSI IS61C256AL is a very high-speed, low power,

32,768 word by 8-bit static RAMs. It is fabricated using

ISSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques,yieldsaccesstimesasfastas10nsmaximum.

• High-speed access time: 10, 12 ns

• CMOS Low Power Operation

— 1 mW (typical) CMOS standby

— 125 mW (typical) operating

• Fully static operation: no clock or refresh

required

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down to 150 µW (typical) with CMOS input levels.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V power supply

• Lead-free available

Easy memory expansion is provided by using an active

LOW Chip Enable (CE) input and an active LOW Output

Enable (OE) input. The active LOW Write Enable (WE)

controls both writing and reading of the memory.

TheIS61C256ALispincompatiblewithother32Kx8SRAMs

and are available in 28-pin SOJ and TSOP (Type I)

packages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. B

10/23/06

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与IS61C256AL-12TI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61C256AL-12TI-TR	ISSI	获取价格	SRAM,
IS61C256AL-12TL	ISSI	获取价格	32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C256AL-12TLI	ISSI	获取价格	32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C256AL-12TLI-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-28
IS61C256AL-12TL-TR	ISSI	获取价格	SRAM
IS61C256-L25N	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28
IS61C256-L30W	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDIP28,
IS61C256-S25N	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28
IS61C308-45L	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, PQCC44
IS61C3216	ICSI	获取价格	32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

与IS61C256AL-12TI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS61C256AL-12TI

IS61C256AL-12TI 技术参数

IS61C256AL-12TI 数据手册

与IS61C256AL-12TI相关器件

与IS61C256AL-12TI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS61C256AL-12TI

IS61C256AL-12TI 技术参数

IS61C256AL-12TI 数据手册

与IS61C256AL-12TI相关器件

与IS61C256AL-12TI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？