是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TFBGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 5.61 | 访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性: | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 13 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 96 | 字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 1.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.283 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.35 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 宽度: | 9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS46TR16128CL-15HBLA2-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS46TR16256A-107MBLA1 | ISSI |
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512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM | |
IS46TR16256A-107MBLA2 | ISSI |
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512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM | |
IS46TR16256A-125KBLA1 | ISSI |
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DDR DRAM, 256MX16, 0.1ns, CMOS, PBGA96, FBGA-96 | |
IS46TR16256A-125KBLA1-TR | ISSI |
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA | |
IS46TR16256A-125KBLA2 | ISSI |
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA | |
IS46TR16256A-15HBLA1 | ISSI |
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA | |
IS46TR16256A-15HBLA1-TR | ISSI |
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA | |
IS46TR16256A-15HBLA2 | ISSI |
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA | |
IS46TR16256A-15HBLA2-TR | ISSI |
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA |