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IS46TR16256A-125KBLA2

更新时间： 2024-10-28 22:53:55

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美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
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87页	4638K
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

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IS46TR16256A-125KBLA2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	TFBGA, BGA96,9X16,32	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	6.85
Samacsys Description：	DRAM 4G, 1.5V, 1600MT/s DDR3 SDRAM	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.1 ns	其他特性：	PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	800 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B96
长度：	13 mm	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA96,9X16,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.018 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.29 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

IS46TR16256A-125KBLA2 数据手册

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IS43/46TR16256A, IS43/46TR16256AL,

IS43/46TR85120A, IS43/46TR85120AL

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEBRUARY 2018

FEATURES



Standard Voltage: V_DDand V_DDQ= 1.5V ± 0.075V



Refresh Interval:

7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C to 85°C

3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C to 105°C

Low Voltage (L): V_DDand V_DDQ= 1.35V + 0.1V, -0.067V

- Backward compatible to 1.5V



Partial Array Self Refresh



High speed data transfer rates with system

frequency up to 1066 MHz

Asynchronous RESET pin



8 internal banks for concurrent operation

8n-Bit pre-fetch architecture

TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8

only)



OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)

Dynamic ODT (On-Die Termination)

Driver strength : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)

Write Leveling

Programmable CAS Latency

Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2

Programmable CAS WRITE latency (CWL) based

on tCK



Programmable Burst Length: 4 and 8

Up to 200 MHz in DLL off mode

Operating temperature:

Programmable Burst Sequence: Sequential or

Interleave

Commercial (T_C= 0°C to +95°C)

Industrial (T_C= -40°C to +95°C)

Automotive, A1 (T_C= -40°C to +95°C)

Automotive, A2 (T_C= -40°C to +105°C)



BL switch on the fly

Auto Self Refresh(ASR)

Self Refresh Temperature(SRT)

OPTIONS

ADDRESS TABLE

Parameter



Configuration:

512Mx8

A0-A15

A0-A9

BA0-2

1KB

256Mx16

A0-A14

A0-A9

BA0-2

2KB

512Mx8

256Mx16

Package:

96-ball BGA (9mm x 13mm) for x16

78-ball BGA (9mm x 10.5mm) for x8

Row Addressing

Column Addressing

Bank Addressing



Page size

Auto Precharge

Addressing

A10/AP

BL switch on the fly

A12/BC#

SPEED BIN

Speed Option

15H

125K

107M

093N

Units

JEDEC Speed Grade

DDR3-1333H

DDR3-1600K

DDR3-1866M

DDR3-2133N

CL-nRCD-nRP

tRCD,tRP(min)

9-9-9

13.5

11-11-11

13.75

13-13-13

13.91

14-14-14

13.09

tCK

Note:Faster speed options are backward compatible to slower speed options.

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised

to obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product

can reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use

in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –

Rev. I1

02/16/2018

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IS46TR16256A-15HBLA1	ISSI	获取价格	IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
IS46TR16256A-15HBLA1-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
IS46TR16256A-15HBLA2	ISSI	获取价格	IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
IS46TR16256A-15HBLA2-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
IS46TR16256AL-107MBLA1	ISSI	获取价格	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16256AL-107MBLA2	ISSI	获取价格	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16256AL-125KBLA1	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 256MX16, 0.1ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-96
IS46TR16256AL-125KBLA2	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 256MX16, 0.1ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-96
IS46TR16256AL-125KBLA2-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
IS46TR16256AL-15HBLA1	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 256MX16, 0.125ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-96

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