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IS42S16160G-7BLI

更新时间： 2024-01-16 11:11:01

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器
页数	文件大小	规格书
63页	942K
描述
32Meg x 8, 16Meg x16 256Mb SYNCHRONOUS DRAM

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IS42S16160G-7BLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	7.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

IS42S16160G-7BLI 数据手册

ꢀ

IS42S83200G, IS42S16160G

IS45S83200G, IS45S16160G

32Megꢀxꢀ8,ꢀꢀ16Megꢀx16ꢀ

256MbꢀSYNCHRONOUSꢀDRAM

ꢀ

MARCHꢀ2012

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ256MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

dataꢀtransferꢀusingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀꢀAllꢀinputsꢀandꢀ

outputsꢀsignalsꢀreferꢀꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀinput.ꢀ

Theꢀ256MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positiveꢀclockꢀedge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ SingleꢀPowerꢀsupply:ꢀ3.3Vꢀ+ꢀ0.3Vꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

IS42S83200Gꢀ

IS42S16160Gꢀ

8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀBanksꢀ 4Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-ballꢀBGAꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀBGAꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

ꢀ ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

KEYꢀTIMINGꢀPARAMETERS

Parameterꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ-6ꢀ ꢀ

-7ꢀ

ꢀ

Unit

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

7ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ6ꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ10ꢀ

nsꢀ

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ32ꢀmsꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀꢀ

64ꢀmsꢀ(commercial,ꢀindustrial,ꢀA1ꢀgrade)

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ166ꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ100ꢀ

143ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ5.4ꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ6.5ꢀ

5.4ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀꢀ

operationsꢀcapability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

ADDRESSꢀTABLE

OPTIONS

Parameter

32M x 8

16M x 16

•ꢀ Package:ꢀ

Conﬁguration

8M x 8 x 4

banks

4M x 16 x 4

banks

54-pinꢀTSOP-IIꢀꢀ

54-ballꢀBGA

Refresh Count

Com./Ind. 8K/64ms

A1 8K/64ms

8K/64ms

8K/16ms

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:ꢀ

Commercialꢀ(0^oCꢀtoꢀ+70^oC)

A2 8K/16ms

Industrialꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

Row Addresses

A0-A12

A0-A8

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+105^oC)

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A9

BA0, BA1

A10/AP

BA0, BA1

A10/AP

outꢀnotice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀ

theꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀ

reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀap-

plicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstancesꢀ

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ

Rev.ꢀ A

3/20/2012

12 3 4 5 6 7...63

中文翻译

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IS42S16160G-7BLI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16160D-7BLI	ISSI	完全替代	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-75EBLI	ISSI	类似代替	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

与IS42S16160G-7BLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16160G-7TL	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160G-7TLI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160J	ISSI	获取价格	256Mb SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160J-6BLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, TFBGA-54
IS42S16160J-6BL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IS42S16160J-6TL	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
IS42S16160J-7BL	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IS42S16160J-7TL	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
IS42S16160J-7TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
IS42S16160J-7TLI-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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