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IS42S16160B-7TLI

更新时间： 2024-01-06 04:46:47
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器
页数 文件大小 规格书
62页 630K
描述
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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IS42S16160B-7TLI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.09
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e3长度：22.22 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IS42S16160B-7TLI 数据手册

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®
IS42S83200B  
IS42S16160B  
ISSI  
32Meg x 8, 16Meg x16  
256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM  
PRELIMINARY INFORMATION  
MAY 2006  
OVERVIEW  
FEATURES  
ISSI's 256Mb Synchronous DRAM achieves high-speed  
data transfer using pipeline architecture. All inputs and  
outputs signals refer to the rising edge of the clock input.  
The 256Mb SDRAM is organized as follows.  
• Clock frequency: 166, 143 MHz  
• Fully synchronous; all signals referenced to a  
positive clock edge  
• Internal bank for hiding row access/precharge  
• Power supply  
VDD  
3.3V 3.3V  
VDDQ  
IS42S83200B  
IS42S16160B  
IS42S83200B  
IS42S16160B  
8M x 8 x 4 Banks 4M x16x4 Banks  
3.3V 3.3V  
54-pin TSOPII  
54-pin TSOPII  
54-ballBGA  
• LVTTL interface  
• Programmable burst length  
– (1, 2, 4, 8, full page)  
• Programmable burst sequence:  
Sequential/Interleave  
• Auto Refresh (CBR)  
KEY TIMING PARAMETERS  
• Self Refresh  
• 8K refresh cycles every 64 ms  
• Random column address every clock cycle  
• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)  
Parameter  
-6  
-7  
Unit  
Clk Cycle Time  
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
6
8
7
10  
ns  
ns  
• Burst read/write and burst read/single write  
operations capability  
Clk Frequency  
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
166  
125  
143  
100  
Mhz  
Mhz  
• Burst termination by burst stop and precharge  
command  
Access Time from Clock  
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
• Available in Industrial Temperature  
5.4  
6.5  
5.4  
6.5  
ns  
ns  
• Available in 54-pin TSOP-II and 54-ball BGA  
(x16 only)  
• Available in Lead-free  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any  
time without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are  
advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
1
PRELIMINARYINFORMATION,Rev. 00E  
05/25/06  
1234567...62

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与IS42S16160B-7TLI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS42S16160B-7TL-TR ISSI

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 		Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
IS42S16160C ISSI

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 		256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM
IS42S16160C-6TL ISSI

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 		256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM
IS42S16160C-6TLI ISSI

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 		256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM
IS42S16160C-75TL ISSI

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 		256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM
IS42S16160C-75TLI ISSI

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 		256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM
IS42S16160C-7TL ISSI

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 		256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM
IS42S16160C-7TLI ISSI

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 		256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM
IS42S16160D ISSI

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 		32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-6B ISSI

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 		32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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