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IS42S16160D-75EBL-TR

更新时间： 2024-01-03 11:56:24

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	926K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54

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IS42S16160D-75EBL-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
最长访问时间：	5.5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

IS42S16160D-75EBL-TR 数据手册

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ꢀ

IS42S83200D, IS42S16160D

IS45S83200D, IS45S16160D

32Megꢀxꢀ8,ꢀꢀ16Megꢀx16ꢀ

256-MBITꢀSYNCHRONOUSꢀDRAM

ꢀ

DECEMBERꢀ2011

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ256MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

dataꢀtransferꢀusingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀꢀAllꢀinputsꢀandꢀ

outputsꢀsignalsꢀreferꢀꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀinput.ꢀ

Theꢀ256MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positiveꢀclockꢀedge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ SingleꢀPowerꢀsupply:ꢀ3.3Vꢀ+ꢀ0.3Vꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

IS42S83200Dꢀ

IS42S16160Dꢀ

8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀBanksꢀ 4Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-ballꢀBGAꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀBGAꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

ꢀ ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

KEYꢀTIMINGꢀPARAMETERS

Parameterꢀ

-6ꢀ

-7ꢀ -75Eꢀ Unit

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

7ꢀ

10ꢀ

—ꢀ

7.5ꢀ

nsꢀ

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ16ꢀmsꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀꢀ

64ꢀmsꢀ(commercial,ꢀindustrial,ꢀA1ꢀgrade)

ClkꢀFrequencyꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

166ꢀ

100ꢀ

143ꢀ

100ꢀ

—ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀꢀ

operationsꢀcapability

5.4ꢀ

6.5ꢀ

5.4ꢀ

6.5ꢀ

—ꢀ

5.5ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

ADDRESSꢀTABLE

OPTIONS

Parameter

32M x 8

16M x 16

•ꢀ Package:ꢀ

54-pinꢀTSOP-IIꢀ

54-ballꢀBGA

Conﬁguration

8M x 8 x 4

banks

4M x 16 x 4

banks

Refresh Count

Com./Ind. 8K/64ms

A1 8K/64ms

8K/64ms

8K/16ms

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:ꢀ

Commercialꢀ(0^oCꢀtoꢀ+70^oC)

A2 8K/16ms

Industrialꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

Row Addresses

A0-A12

A0-A8

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+105^oC)

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A9

BA0, BA1

A10/AP

BA0, BA1

A10/AP

outꢀnotice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀ

theꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀ

reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀap-

plicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ

Rev.ꢀ E

12/01/2011

12 3 4 5 6 7...64

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与IS42S16160D-75EBL-TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16160D-75ETL	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-75ETLI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-75ETLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54
IS42S16160D-7B	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS42S16160D-7BL	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BLI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BLI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS42S16160D-7BL-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54

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