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IS42S16160D-75ETLI-TR PDF预览

IS42S16160D-75ETLI-TR

更新时间： 2024-01-28 19:42:48
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器
页数 文件大小 规格书
63页 984K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54

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IS42S16160D-75ETLI-TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
最长访问时间：5.5 ns最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G54内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
端子数量：54字数：16777216 words
字数代码：16000000最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.003 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.18 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

IS42S16160D-75ETLI-TR 数据手册

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IS42S83200D, IS42S16160D  
IS45S83200D, IS45S16160D  
32Meg x 8, 16Meg x16  
JUNE 2009  
256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM  
OVERVIEW  
FEATURES  
ISSI'sꢀ256MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ  
data transfer using pipeline architecture. All inputs and  
outputs signals refer to the rising edge of the clock input.  
Theꢀ256MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ  
•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143ꢀꢀMHz  
•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ  
positive clock edge  
•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge  
•ꢀ SingleꢀPowerꢀsupply:ꢀ3.3Vꢀ+ꢀ0.3Vꢀ  
•ꢀ LVTTLꢀinterface  
IS42S83200Dꢀ  
IS42S16160Dꢀ  
8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀBanksꢀ 4Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ  
54-pinꢀTSOPIIꢀ  
54-pinꢀTSOPII  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ  
–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)  
ꢀ
ꢀ
54-ballꢀBGAꢀ(contactꢀMarketing)ꢀ  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ  
Sequential/Interleaveꢀ  
KEY TIMING PARAMETERS  
•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)  
•ꢀ SelfꢀRefresh  
Parameter  
-6  
-7  
-75E Unit  
ClkꢀCycleꢀTimeꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
6ꢀ  
10ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ16ꢀmsꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀ  
64ꢀmsꢀ(commercial,ꢀindustrial,ꢀA1ꢀgrade)  
7ꢀ  
10ꢀ  
—ꢀ  
7.5ꢀ  
nsꢀ  
ns  
ClkꢀFrequencyꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
166ꢀ  
100ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle  
143ꢀ  
100ꢀ  
—ꢀ  
133ꢀ  
Mhzꢀ  
Mhz  
•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)  
•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ  
AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
5.4ꢀ  
6.5ꢀ  
5.4ꢀ  
6.5ꢀ  
—ꢀ  
5.5ꢀ  
nsꢀ  
ns  
operations capability  
•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ  
command  
OPTIONS  
•ꢀ Package:  
ADDRESS TABLE  
Parameter  
32M x 8  
16M x 16  
54-pinꢀTSOP-IIꢀ(x8ꢀandꢀx16)  
54-ballꢀBGAꢀ(x16ꢀonly)  
Configuration  
8M x 8 x 4  
banks  
4M x 16 x 4  
banks  
•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:  
Commercial (0oC to +70oC)  
Refresh Count  
Com./Ind. 8K/64ms  
A1 8K/64ms  
8K/64ms  
8K/64ms  
8K/16ms  
Industrialꢀ(-40oCꢀtoꢀ+85oC)  
AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40oCꢀtoꢀ+85oC)  
AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40oC to +105oC)  
A2 8K/16ms  
Row Addresses  
A0-A12  
A0-A12  
A0-A8  
Column Addresses  
Bank Address Pins  
Auto Precharge Pins  
A0-A9  
•ꢀ DieꢀRevision:ꢀD  
BA0, BA1  
A10/AP  
BA0, BA1  
A10/AP  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time with-  
out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain  
the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
1
Rev. B  
06/11/09  
1234567...63

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IS42S16160D-75ETLI-TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS42S16160D-75ETL ISSI

完全替代

 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-75ETLI ISSI

完全替代

 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS42S16160D-7B ISSI

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 		32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BI ISSI

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 		32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BI-TR ISSI

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 		暂无描述
IS42S16160D-7BL ISSI

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 		32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BLI ISSI

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 		32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BLI-TR ISSI

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 		暂无描述
IS42S16160D-7BL-TR ISSI

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 		Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54
IS42S16160D-7T ISSI

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 		32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7TI ISSI

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 		32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7TL ISSI

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