IS42S16160C-7TLI

更新时间： 2024-01-01 00:21:59

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM

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IS42S16160C-7TLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e3	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.185 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS42S16160C-7TLI 数据手册

IS42S83200C

IS42S16160C

256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM

APRIL 2009

General Description

IS42S83200C is organized as 4-bank x 8,388,608-word x 8-bit Synchronous DRAM with LVTTL interface and

IS42S16160C is organized as 4-bank x 4,194,304-word x 16-bit. All inputs and outputs are referenced to

the rising edge of CLK. IS42S83200C and IS42S16160C achieve very high speed data rates up to 166MHz, and

are suitable for main memories or graphic memories in computer systems.

Features

- Single 3.3V ±0.3V power supply

- Max. Clock frequency :

- 6:166MHz<3-3-3>/-7:143MHz<3-3-3>/-75:133MHz<3-3-3>

- Fully synchronous operation referenced to clock rising edge

- 4-bank operation controlled by BA0,BA1(Bank Address)

- /CAS latency- 2/3 (programmable)

- Burst length- 1/2/4/8/FP (programmable)

- Burst type- Sequential and interleave burst (programmable)

- Byte Control- LDQM and UDQM (IS42S16160C)

- Random column access

- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

- Auto and self refresh

- 8192 refresh cycles /64ms

- LVTTL Interface

- Package

400-mil, 54-pin Thin Small Outline (TSOP II) with 0.8mm lead pitch

Pb-free package is available

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. C

04/02/09

12 3 4 5 6 7...40

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IS42S16160C-7TLI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
K4S561632E-TL75	SAMSUNG	功能相似	256Mb E-die SDRAM Specification

与IS42S16160C-7TLI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16160D	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-6B	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-6BI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-6BL	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-6BLI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-6BLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54
IS42S16160D-6BL-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54
IS42S16160D-6B-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54
IS42S16160D-6T	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-6TI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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