IS42S16160D-75EBL

更新时间： 2024-02-07 00:01:58

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美国芯成 - ISSI		动态存储器
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63页	984K
描述
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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IS42S16160D-75EBL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DSBGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.64
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IS42S16160D-75EBL 数据手册

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IS42S83200D, IS42S16160D

IS45S83200D, IS45S16160D

32Meg x 8, 16Meg x16

JUNE 2009

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ256MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ256MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ166,ꢀ143ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ SingleꢀPowerꢀsupply:ꢀ3.3Vꢀ+ꢀ0.3Vꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

IS42S83200Dꢀ

IS42S16160Dꢀ

8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀBanksꢀ 4Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)

ꢀ

54-ballꢀBGAꢀ(contactꢀMarketing)ꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

Parameter

-6

-7

-75E Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

6ꢀ

10ꢀ

ꢀ

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ16ꢀmsꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀ

64ꢀmsꢀ(commercial,ꢀindustrial,ꢀA1ꢀgrade)

7ꢀ

10ꢀ

—ꢀ

7.5ꢀ

nsꢀ

ClkꢀFrequencyꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

166ꢀ

100ꢀ

ꢀ

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

143ꢀ

100ꢀ

—ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

5.4ꢀ

6.5ꢀ

5.4ꢀ

6.5ꢀ

—ꢀ

5.5ꢀ

nsꢀ

operations capability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

OPTIONS

•ꢀ Package:

ADDRESS TABLE

Parameter

32M x 8

16M x 16

54-pinꢀTSOP-IIꢀ(x8ꢀandꢀx16)

54-ballꢀBGAꢀ(x16ꢀonly)

Conﬁguration

8M x 8 x 4

banks

4M x 16 x 4

banks

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:

Commercial (0^oC to +70^oC)

Refresh Count

Com./Ind. 8K/64ms

A1 8K/64ms

8K/64ms

8K/16ms

Industrialꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oC to +105^oC)

A2 8K/16ms

Row Addresses

A0-A12

A0-A8

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A9

•ꢀ DieꢀRevision:ꢀD

BA0, BA1

A10/AP

BA0, BA1

A10/AP

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. B

06/11/09

12 3 4 5 6 7...63

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IS42S16160D-75EBL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16160G-7BL	ISSI	类似代替	32Meg x 8, 16Meg x16 256Mb SYNCHRONOUS DRAM

与IS42S16160D-75EBL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16160D-75EBLI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-75EBLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54
IS42S16160D-75EBL-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54
IS42S16160D-75ETL	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-75ETLI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-75ETLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54
IS42S16160D-7B	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BI	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160D-7BI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS42S16160D-7BL	ISSI	获取价格	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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