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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 7.94 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 16MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IS42S16160G-6TLI | ISSI |
类似代替  |
32Meg x 8, 16Meg x16 256Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS42S16160D-6TLI-TR | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
|
| IS42S16160D-6TL-TR | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
|
| IS42S16160D-6T-TR | ISSI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IS42S16160D-75EBL | ISSI |
获取价格 |
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16160D-75EBLI | ISSI |
获取价格 |
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16160D-75EBLI-TR | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54 |
|
| IS42S16160D-75EBL-TR | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54 |
|
| IS42S16160D-75ETL | ISSI |
获取价格 |
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16160D-75ETLI | ISSI |
获取价格 |
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
|
| IS42S16160D-75ETLI-TR | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54 |
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