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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLL014NPBF
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IRLL014NPBF

更新时间： 2024-10-02 03:36:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
9页 261K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLL014NPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SOT-223, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：6.96Base Number Matches：1

IRLL014NPBF 数据手册

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PD- 95154  
IRLL014NPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
D
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0ꢀ14Ω  
G
ID = 2ꢀ0A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area" This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications"  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase, infrared, orwavesolderingtechniques"  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking" Power dissipation  
of 1"0W is possible in a typical surface mount application"  
SOT-223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Maxꢀ  
2ꢀ8  
2ꢀ0  
1ꢀ6  
16  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2ꢀ1  
1ꢀ0  
8ꢀ3  
± 16  
32  
W
W
mW/°C  
V
VGS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
2ꢀ0  
0ꢀ1  
7ꢀ2  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy*  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Ambꢀ (PCB Mount, steady state)*  
Typꢀ  
90  
Maxꢀ  
120  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambꢀ (PCB Mount, steady state)**  
50  
60  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprintꢀ  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devicesꢀ  
www.irf.com  
1
4/20/04  
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IRLL014NPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLL014NTR INFINEON

类似代替

 Advanced Process Technology
IRLL024NPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRLL014NTRPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IRLL014NPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLL014NTR INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRLL014NTR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRLL014NTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLL014PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRLL014PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLL014TR VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRLL014TRA VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRLL014TRPBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRLL014TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLL014TRPBFA VISHAY

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 		Power MOSFET

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