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IRHLQ77214

更新时间： 2024-09-16 05:39:31
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 224K
描述
RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)

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IRHLQ77214 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CHIP CARRIER, S-CQCC-N28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
雪崩能效等级（Eas）：38.5 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-CQCC-N28
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：28工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：12 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHLQ77214 数据手册

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PD-97260  
2N7615U6  
RADIATION HARDENED  
IRHLQ77214  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-28)  
250V, Quad N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHLQ77214  
IRHLQ73214  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
1.0Ω  
1.0Ω  
2.6A  
2.6A  
LCC-28  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power  
MOSFETs provide simple solution to interfacing  
CMOS and TTL control circuits to power devices in  
space and other radiation environments. The  
threshold voltage remains within acceptable operating  
limits over the full operating temperature and post  
radiation. This is achieved while maintaining single  
event gate rupture and single event burnout immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
These devices are used in applications such as  
current boost low signal source in PWM, voltage  
comparator and operational amplifiers.  
Surface Mount  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
2.6  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 4.5V, T = 100°C Continuous Drain Current  
1.6  
10.4  
12  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
0.1  
V
Gate-to-Source Voltage  
±10  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
38.5  
2.6  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
1.2  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.56  
-55 to 150  
T
J
T
Storage Temperature Range  
°C  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
0.89 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/13/08  
1234567...9

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与IRHLQ77214相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLQ7S7214 INFINEON

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IRHLQ7S7214SCS INFINEON

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IRHLQ7S7214SCV INFINEON

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