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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | FAST |
| 最大集电极电流 (IC)： | 60 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRGPC50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 55A I(C) | TO-247AC |
|
| IRGPC50F | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=39A) |
|
| IRGPC50FD1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
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| IRGPC50FD1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
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| IRGPC50FD2 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V,Ic=39A) |
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| IRGPC50K | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRGPC50KD2 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRGPC50LC | ETC |
获取价格 |
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| IRGPC50M | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A) |
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| IRGPC50MD2 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A |
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