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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.39 |
| 其他特性： | FAST | 最大集电极电流 (IC)： | 70 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRGPC56PBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC |
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| IRGPC60K | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRGPC60LC | ETC |
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| IRGPC60M | ETC |
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| IRGPF20F | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A) |
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| IRGPF30F | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A) |
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| IRGPF40F | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V,@Vge=15V, Ic=17A) |
|
| IRGPF50 | ETC |
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| IRGPF50F | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=28A) |
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| IRGPF50U | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
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