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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | ULTRAFAST |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRGPH20M | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A) |
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| IRGPH20S | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A) |
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| IRGPH30K | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC |
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| IRGPH30KD2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC |
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| IRGPH30KD2PBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC |
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| IRGPH30M | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, |
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| IRGPH30MD2 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=9. |
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| IRGPH30MPBF | INFINEON |
获取价格 |
15A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC |
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| IRGPH30S | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A) |
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| IRGPH40 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A) |
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