5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR2905Z
IRFR2905Z PDF预览

IRFR2905Z

更新时间： 2024-01-08 01:34:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 212K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR2905Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：82 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.0145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR2905Z 数据手册

 浏览型号IRFR2905Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR2905Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR2905Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR2905Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR2905Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR2905Z的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95811  
IRFR2905Z  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU2905Z  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
VDSS = 55V  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
RDS(on) = 14.5mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
ID = 42A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR2905Z  
I-Pak  
IRFU2905Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
59  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
42  
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
240  
110  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.72  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
55  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
82  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.38  
40  
Units  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
11/24/03  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与IRFR2905Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR2905ZPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRFR2905ZPBF KERSEMI

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2905ZTR KERSEMI

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRFR2905ZTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2905ZTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2905ZTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2905ZTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2905ZTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR310 KERSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR310 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

与IRFR2905Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证