5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFR2905ZTRLPBF
IRFR2905ZTRLPBF PDF预览

IRFR2905ZTRLPBF

更新时间： 2024-11-26 20:59:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 333K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR2905ZTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：82 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.0145 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR2905ZTRLPBF 数据手册

 浏览型号IRFR2905ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR2905ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR2905ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR2905ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR2905ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR2905ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95943B  
IRFR2905ZPbF  
IRFU2905ZPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
VDSS = 55V  
RDS(on) = 14.5mΩ  
G
ID = 42A  
Description  
S
ThisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthelatest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating. These features  
combinetomakethisdesignanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
I-Pak  
IRFU2905ZPbF  
D-Pak  
IRFR2905ZPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
59  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
42  
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
240  
110  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.72  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
55  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
82  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.38  
40  
Units  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
09/16/10  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRFR2905ZTRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR2905ZTRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR2905Z INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
IRFR2905ZPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =

与IRFR2905ZTRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR2905ZTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2905ZTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2905ZTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR310 KERSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR310 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR310 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A)
IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR310A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRFR310B FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
IRFR310PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

与IRFR2905ZTRLPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证