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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR312 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| IRFR320 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR320 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR320 | INTERSIL |
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3.1A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFR320 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A) |
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| IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR3209A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA |
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| IRFR320A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA |
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| IRFR320ATF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFR320ATM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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