IRFR320PBF

更新时间： 2024-01-13 12:50:26

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFR320PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.54	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	186841
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	Integrated Circuit
Samacsys Package Category：	TO-XXX (Inc. DPAK)	Samacsys Footprint Name：	TO-252AA
Samacsys Released Date：	2015-12-27 16:31:34	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A
最大漏极电流 (ID)：	3.1 A	最大漏源导通电阻：	1.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR320PBF 数据手册

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR320/SiHFR320)

COMPLIANT

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.8

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.3

• Straight Lead (IRFU320/SiHFU320)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR320PbF

SiHFR320-E3

IRFR320

DPAK (TO-252)

IRFR320TRLPbF^a

SiHFR320TL-E3^a

IRFR320TRL^a

DPAK (TO-252)

IRFR320TRPbF^a

SiHFR320T-E3^a

IRFR320TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR320TRRPbF^a

SiHFR320TR-E3^a

IRFR320TRR^a

IPAK (TO-251)

IRFU320PbF

SiHFU320-E3

IRFU320

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR320

SiHFR320TL^a

SiHFR320T^a

SiHFR320TR^a

SiHFU320

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

3.1

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

160

3.1

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.1 A, dI/dt ≤ 65 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91273

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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