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IRFR320TRLPBF

更新时间： 2024-11-26 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFR320TRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A
最大漏极电流 (ID)：	3.1 A	最大漏源导通电阻：	1.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR320TRLPBF 数据手册

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR320/SiHFR320)

COMPLIANT

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.8

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.3

• Straight Lead (IRFU320/SiHFU320)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR320PbF

SiHFR320-E3

IRFR320

DPAK (TO-252)

IRFR320TRLPbF^a

SiHFR320TL-E3^a

IRFR320TRL^a

DPAK (TO-252)

IRFR320TRPbF^a

SiHFR320T-E3^a

IRFR320TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR320TRRPbF^a

SiHFR320TR-E3^a

IRFR320TRR^a

IPAK (TO-251)

IRFU320PbF

SiHFU320-E3

IRFU320

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR320

SiHFR320TL^a

SiHFR320T^a

SiHFR320TR^a

SiHFU320

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

3.1

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

160

3.1

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.1 A, dI/dt ≤ 65 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91273

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR320TRLPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR320TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR320TRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR320TRR	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR320TRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR320TRRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR320TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR320TRRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR321	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3.1A I(D) \| TO-252AA
IRFR322	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 2.6A I(D) \| TO-252AA

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