Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR320TRRPBF

IRFR320TRRPBF

更新时间： 2024-11-26 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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IRFR320TRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.78	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A	最大漏极电流 (ID)：	3.1 A
最大漏源导通电阻：	1.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFR320TRRPBF 数据手册

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR320/SiHFR320)

COMPLIANT

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.8

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.3

• Straight Lead (IRFU320/SiHFU320)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR320PbF

SiHFR320-E3

IRFR320

DPAK (TO-252)

IRFR320TRLPbF^a

SiHFR320TL-E3^a

IRFR320TRL^a

DPAK (TO-252)

IRFR320TRPbF^a

SiHFR320T-E3^a

IRFR320TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR320TRRPbF^a

SiHFR320TR-E3^a

IRFR320TRR^a

IPAK (TO-251)

IRFU320PbF

SiHFU320-E3

IRFU320

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR320

SiHFR320TL^a

SiHFR320T^a

SiHFR320TR^a

SiHFU320

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

3.1

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

160

3.1

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.1 A, dI/dt ≤ 65 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91273

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR320TRRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR321	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3.1A I(D) \| TO-252AA
IRFR322	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 2.6A I(D) \| TO-252AA
IRFR325	SUNTAC	获取价格	POWER MOSFET
IRFR330	FAIRCHILD	获取价格	400V N-Channel MOSFET
IRFR3303	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR3303	FREESCALE	获取价格	HEXFETÂ® Power MOSFET
IRFR3303HR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR3303PBF	KERSEMI	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR3303PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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