5秒后页面跳转
IRFR312 PDF预览

IRFR312

更新时间: 2024-11-27 04:05:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG /
页数 文件大小 规格书
5页 183K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFR312 数据手册

 浏览型号IRFR312的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR312的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR312的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR312的Datasheet PDF文件第5页 

与IRFR312相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR320 KERSEMI

获取价格

Power MOSFET
IRFR320 VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFR320 INTERSIL

获取价格

3.1A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR320 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A)
IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320 VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFR3209A ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
IRFR320A ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
IRFR320ATF FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFR320ATM FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFR320B FAIRCHILD

获取价格

400V N-Channel MOSFET