Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR310TRLPBF

IRFR310TRLPBF

更新时间： 2024-02-15 01:22:08

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	1417K
描述
Power MOSFET

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IRFR310TRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.05
雪崩能效等级（Eas）：	86 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A	最大漏极电流 (ID)：	1.7 A
最大漏源导通电阻：	3.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR310TRLPBF 数据手册

IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

• Repetitive Avalanche Rated

3.6

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Surface Mount (IRFR310/SiHFR310)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

1.9

6.5

• Straight Lead (IRFU310/SiHFU310)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR310PbF

SiHFR310-E3

IRFR310

DPAK (TO-252)

IRFR310TRPbF^a

SiHFR310T-E3^a

IRFR310TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR310TRRPbF^a

SiHFR310TR-E3^a

IPAK (TO-251)

IRFU310PbF

SiHFU310-E3

IRFU310

IRFR310TRLPbF^a

SiHFR310TL-E3^a

IRFR310TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR310

SiHFR310TL^a

SiHFR310T^a

SiHFU310

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

1.7

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

1.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

6.0

Linear Derating Factor

0.20

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

1.7

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 52 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.7 A, dI/dt ≤ 40 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1” square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91272

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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IRFR310TRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR310TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR310TRRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR311	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 1.7A I(D) \| TO-252AA
IRFR312	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
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