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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR2905ZPBF
IRFR2905ZPBF PDF预览

IRFR2905ZPBF

更新时间： 2024-11-26 04:18:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 274K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 14.5mヘ , ID = 42A )

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IRFR2905ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：82 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：59 A最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.0145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR2905ZPBF 数据手册

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PD - 95943A  
IRFR2905ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU2905ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
VDSS = 55V  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
RDS(on) = 14.5mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
l
Lead-Free  
ID = 42A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR2905Z  
I-Pak  
IRFU2905Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
59  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
42  
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
240  
110  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.72  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
55  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
82  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.38  
40  
Units  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
12/14/04  
1234567...12

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IRFR2905ZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR2905ZTRPBF INFINEON

类似代替

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IRFR2905ZTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2905ZTRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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