是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 0.56 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.7 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.7 A | 最大漏源导通电阻: | 3.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFR310PBF | VISHAY |
完全替代 |
Power MOSFET | |
FDD3N40TM | FAIRCHILD |
功能相似 |
400V N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR310TRPBFA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR310TRR | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFR310TRRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR310TRRPBFA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR311 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-252AA | |
IRFR312 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
IRFR320 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR320 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR320 | INTERSIL |
获取价格 |
3.1A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | |
IRFR320 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A) |